薄膜トランジスタ(TFT)

薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, TFT)は、半導体材料を薄膜としてMOSキャパシタ上に形成し、MOSにかけるバイアスによって薄膜内にキャリア蓄積させることで電導度を変調させ、電界効果トランジスタとして機能させるものです。薄くて透明であるため、有機ELディスレプイの駆動に用いられるほか、チャネル自身をセンサーの母材として活用し、センサーアレイとして活用することもできます。当研究室では室温原子層堆積法を用い、ナノ薄膜でチャネルを形成することで、光センサーや分子吸着センサーの実現を目指しています。

薄膜トランジスタの断面(上)    試作したTFTの出力特性
試作サンプル(下)

ここでの実例ですが、ナノ薄膜酸化チタンで試作したTFTになります。光照射により強い出力特性の変調がみられます。このデバイスは高感度紫外線センサーとしての実用が期待されます。

有機FET

有機半導体は軽くて柔軟であり、フレキシブル電子回路としての実用が期待されています。当研究室では有機エレクトロニクス向けのガスバリア技術を併用し、有機FETの高性能化、高耐久化を目指しています。