室温原子層堆積法(RT Atomic Layer Deposition)

原子層堆積装置(ALD)は、有機金属材料ガスと酸化性ガスを真空容器に交互に充満させることで、固体基板に酸化物薄膜を非常に均一に制御性よく形成する技術です。従来、原子層堆積装置は基板表面での反応のために250℃から300℃程度の基板加熱が必要でしたが、当研究室ではプラズマで発生させた酸化ガスを利用することで、室温での原子層堆積が可能になりました。この優れた低温性は、従来従来熱に弱くてALDが適用されていなかった有機エレクトロニクスの分野にもこの技術が利用できることを示唆するものです。本研究室では、この技術を活用して、太陽電池のパッシベーション技術に利用する予定です

室温原子層堆積装置とシリカをポリイミドに形成した事例

当研究室で開発した室温原子層堆積法は、成膜温度が室温であるため、従来熱に弱くて適用できなかった精密部品、プラスティック、樹脂などにセラミックス(金属酸化物)の優れた物性を付与できる可能性があります。したがって、防食、ガスバリア、機能性表面付与など様々応用が期待されます。

 PETボトルへのコーティング事例    真空部品へのコーティング事例